高通推出兩款8核晶片驍龍430/617,手機晶片市場硝煙再起—ESM

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在“2015 Qualcomm 3G/LTE峰會”上,高通(Qualcomm)推出2款移動處理器平臺驍龍430和驍龍617,主打中端平價高效能的移動市場,兩顆晶片均為8核心採用ARM Cortex A53構架,同時支援下一代快速充電技術Qualcomm Quick Charge 3.0。高通表示,這兩款晶片將為中端移動終端帶來更強的多媒體能力和連線效能。

兩款晶片已積極排片備產,據高通英文官網透露將由28納米工藝製造。有猜測表示驍龍617可能交由中芯國際代工,而驍龍430交由臺積電代工。採用驍龍430處理器的商用終端預計將於2016年第2季度上市,而驍龍617處理器預計將於2015年底前在商用終端中實現應用。

驍龍430具體引數:

1.X6 LTE調變解調器下行支援Cat 4,最高傳輸速度達150 Mbps,並且支援2×10 MHz載波聚合。通過首次在該層級處理器中支援64-QAM,上行支援Cat 5,最高傳輸速度達75 Mbps;

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2.支援雙攝像頭配置和最高達2100萬畫素感測器的優質影象,並採用全新強大的Qualcomm Adreno 505 GPU,支援Open GL ES3.1、Android Extension Pack和 OpenCL 2.0等特性。

驍龍617具體引數:

1.包含此前6XX系列僅限於高階產品的特性,較驍龍430的連線性和各項能力有全面提升。

2.整合了X8 LTE調變解調器,利用雙向2×20 MHz載波聚合支援Cat 7,下行速度最高達300 Mbps,上行速度最高達100 Mbps,滿足全球對更快LTE資料速率的需求;

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3.與驍龍620與618享有同樣的軟體提升、雙ISP以及攝像頭架構。此外,驍龍617、618和620能夠執行相同的軟體包,使OEM廠商可以快速高效地推出產品。

Qualcomm表示,驍龍617和430與面向全球載波聚合的全新成本優化型射頻收發器WTR 2965相匹配,能實現最優射頻效能。

此外,兩款處理器都使用了高效能、低功率的Qualcomm Hexagon DSP,支援低功率感測器和先進的音訊功能。驍龍430和驍龍617處理器還將快速追蹤區域認證流程,以支援Qualcomm全球支援計劃(Qualcomm Global Pass)認證專案。

高通驍龍820採用X12 LTE基帶 最高支援Cat 13

早前訊息顯示,驍龍820處理器是高通認知計算平臺Zeroth的首款重量級產品,具備“人工智慧”能力。會採用4核心64位架構——Qualcomm Kryo CPU,整合Adreno 530 GPU和Qualcomm Spectra ISP,以及全新的Hexagon 680 DSP。

高通表示,驍龍820將首次整合全新的X12 LTE調變解調器;支援Cat12 、Cat 13網路標準,理論上支援下行600Mbps、上行150Mbps。與前代產品相比,下載和上傳速度分別提高了33%和200%。

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值得一提的是,X12 LTE調變解調器支援下一代高清LTE語音(VoLTE)和LTE視訊(ViLTE)通話服務,同時還能保證LTE和Wi-Fi間的通話連續性。

藉助高通認知計算平臺Zeroth的認知能力,X12 LTE調變解調器能夠實時監測Wi-Fi連線質量,並決定是否及何時在LTE與Wi-Fi間切換通話。

此外,驍龍820處理器首次宣佈支援LTE 4×4多輸入多輸出(MIMO)技術,可提高單LTE載波下載吞吐速度,並首次整合閉環天線調諧技術,可在實際網路條件

下動態地優化射頻效能,尤其適用於高階手機採用的金屬材質。減少通話掉線、改善小區邊緣吞吐量,並且進一步降低功耗。

X12 LTE調變解調器還支援支援LTE、Wi-Fi之間的多種天線共享機制,幫助手機廠商更輕鬆的設計出支援LTE-U、4×4 LTE MIMO和雙頻Wi-Fi等技術的終端,同時保證具有吸引力的外觀設計,並且對任一技術的效能影響降至最低。

據高通透露,搭載驍龍820的高階手機終端,將於2016年上半年正式釋出。

高通在旗艦處理器驍龍820上放棄使用8核構架轉向4核,更多的是意識到高階市場的威脅來自三星;此次中端系列產品全面提升為8核並且為LTE量身打造,3G晶片市場無利可圖,乘MTK衰弱之際爭取更多中國安卓手機廠商訂單。晶片構架上的進步趨緩,手機晶片市場再起硝煙。 

高通推出手機快充3.0相容USB Type-C

高通子公司Qualcomm Technologies同時宣佈推出下一代快速充電技術QualcommQuick Charge3.0。可實現比上一代效率最高提升38%,快速充電速度最高達27%,同時幫助保護電池壽命週期。

目前,運營商和OEM廠商將受益於既有的Quick Charge生態系統,包括20多家已支援Quick Charge 2.0技術的OEM廠商和90多種可用配件。

作為快速充電技術的第三代產品,Quick Charge 3.0在同類產品中首次採用最佳電壓智慧協商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)演算法。該演算法在幫助便攜裝置具備選定所需功率電平的能力,以在任意時刻實現最佳功率傳輸,且最大化效率。

據瞭解,Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內將一部典型的手機從零電量充電至80%,而不具備Quick Charge的傳統移動終端通常需要大致一個半小時的時間。

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此外,當與Qualcomm最新的、先進並聯充電配置一起使用時,Quick Charge 3.0可以實現:

1、與Quick Charge 2.0相比,幫助提高快速充電速度最高達27%,或減少功率損耗最高達45%;

2、比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。

充電選項方面:Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓,Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔,提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機獲得恰到好處的電壓,達到預期的充電電流,從而最小化電量損失、提高充電效率並改善熱表現。

此外,Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及聯結器(包括USB Type-C)前向和後向相容,並且擁有同樣的超快充電速度,以及獨立電路,為OEM廠商提供更靈活的選擇,此外還有幫助達到質量和安全標準的UL認證。

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最後,Quick Charge 3.0將在部分Qualcomm驍龍處理器中以選配形式提供,包括驍龍820、620、618、617和430處理器;搭載這一技術的移動終端預計將於明年上市。 

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